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  • 中興Blade V2020 5G悄然上架:搭載天璣800處理器

    中興Blade V2020 5G悄然上架:搭載天璣800處理器

    10月22日,CNMO發現,中興Blade V2020 5G已經在中興官網悄然上架。配置上,該機搭載了天璣800處理器,輔以中興5G超級天線方案,支持超全5G頻段,360度環繞集成天線設計加持,能夠智能捕捉最佳天線,速率更快、信號更穩;配備了LPDDR4X內存和UFS 2.1高性能閃存,最高傳輸寬帶為4.2GB/s,順序讀取速度最高為950MB/s;配備了4000mAh大電池,續航持久,支持18W快速充電。 設計上,中興Blade V2020 5G配備四周曲面后殼,采用了納米級七層結構光學設計,搭配芯片級光刻工藝,帶來了極光幻彩機身;正面搭載一塊6.53英寸極小孔全面屏,孔徑僅為3.56mm,手機屏占比為90.8%,擁有97%的高清真彩色域,可以真實還原色彩。 相機方面,中興Blade V2020采用AI超清四攝設計,后置攝像頭由一顆4800萬像素超清主攝像頭、一顆800萬像素120度超廣角鏡頭、一顆200萬像素微距鏡頭和一顆200萬像素景深鏡頭組成,前置1600萬像素自拍鏡頭。 此外,該機采用天璣800處理器,支持雙模5G網絡,目前僅提供了6GB+128GB一種內存版本,售價1399元,目前已經開啟全款預售,預計將于10月25日前發貨。

    時間:2020-10-22 關鍵詞: 芯片 5G 中興

  • 工信部回應“部分芯片項目爛尾”:社會各界參與熱情非常高

    工信部回應“部分芯片項目爛尾”:社會各界參與熱情非常高

    工信部回應“部分芯片項目爛尾”:我國半導體產業正處在加快發展的階段,社會各界參與發展的熱情非常之高。 國務院印發實施的《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展若干政策》中,明確提出有序引導和規范集成電路產業發展秩序,做好規劃的布局。 下一步,工信部將做好《若干政策》的落實工作,優化完善集成電路產業發展環境,加強產業鏈上下游協同創新,加強知識產權保護,促進要素資源的自由流動,營造公平公正的市場環境,推動集成電路產業的健康發展。

    時間:2020-10-22 關鍵詞: 工信部 爛尾 芯片

  • AMD針對老款芯片組驅動更新 優化了RYZEN CPU的供電調節

    AMD針對老款芯片組驅動更新 優化了RYZEN CPU的供電調節

    隨著Zen3架構的AMD銳龍5000系列CPU的發布,AMD也隨即更新了針對老款的芯片組驅動。更新后的驅動對B350/A320/X370/X399/B450/X470/X570/B550和TRX40芯片組提供了錯誤修復以及新功能。 AMD工程師針對Windows 10系統開發了新的電源管理計劃,在本次更新后,RYZEN CPU的最新電源計劃即可與上述芯片組搭配使用,以達到最優化的供電調節性能。 更新內容: 已修復的問題 如果從非拉丁字符的文件夾名稱運行驅動驅動安裝程序,則可能無法啟動。 驅動程序無法降級到更早的版本。 驅動程序可能無法在載入了俄語語言包的Windows 10系統上安裝。 在安裝了新加坡中文語言包的WINDOWS 10系統中,驅動程序可能從應用程序列表中卸載。 已知的問題 驅動程序安裝完成了,在非英語的操作系統的主機上需要重新啟動系統。 Windows Installer彈出消息可能會在安裝過程中出現。 靜默安裝模式下,可能無法生成卸載日志。 下載地址在:https://www.amd.com/zh-hans/support/chipsets/amd-socket-am4/x570

    時間:2020-10-22 關鍵詞: CPU AMD ryzen 芯片

  • 芯片加算法賦能位置IOT,清研訊科發布首片UWB/BLE雙頻定位芯片

    高精度位置技術提供商、UWB全球標準FIRA聯盟的投票權會員北京清研訊科(TSINGOAL),今日發布第一顆UWB/BLE雙頻定位與測距芯片TSG5162,也是第一顆同時符合802.15.4z/Bluetooth5.1技術標準規范的全功能芯片,芯片內置UWB/藍牙5.1雙頻段,加上內置的射頻單元與處理器,實現單芯片+天線即可構成完整定位終端。 (TSG5162芯片及參數) 蘋果Iphone11內置UWB芯片以來,UWB技術快速進入消費級市場,多個手機廠家正加緊開發內置UWB功能的旗艦手機,手機生態鏈公司也在快速開發與手機UWB功能配套的智能手表、防丟器、智能門鎖、智能音箱等,此外,2021年將陸續有與手機UWB功能配合實現PEPS的高端汽車、以及音響等智能家居產品上市。 蘋果圍繞手機、音響的智慧終端載體使用的UWB芯片命名為U1芯片,使用了USI環旭的SIP工藝,下圖展示了清研訊科TSG5162與蘋果U1的技術特征差別: (清研TSG5162與蘋果U1芯片對比表) UWB技術在消費級產品中的應用,突出的挑戰是多頻段多模塊下的小尺寸要求,清研訊科TSG5162采用SIP先進工藝封裝技術,在7mm*7mm面積內實現了UWB射頻、RF前端、藍牙5.1SOC、晶振等組件,構成了除天線外的完整功能系統。將原來10平方厘米的整系統面積,降低到1平方厘米,對于可穿戴終端可大幅降低開發難度。 此外,TSG5162兼容了室內定位領域最熱門的兩大技術,即UWB和藍牙5.1,既能滿足UWB測距和測向功能,也滿足藍牙5.1 AOA和AOD技術規范,實現兩種高精度定位的融合。 UWB在消費級和IOT的應用價值 現代UWB技術始于20世紀60年代興起的脈沖通信技術,利用頻譜極寬的超寬基帶脈沖進行通信,故又稱基帶通信技術、無線載波通信技術等。從UWB出現到20世紀90年代之前,該技術主要用于軍事上的雷達系統。 UWB在過去近十年期間被應用于RTLS(實時定位系統)中,實現0.1米級的高精度定位,在工廠、倉庫、物流等場景廣泛應用,實現生產效率提升和管理水平提升; 最近兩年以蘋果、小米為代表的手機廠商積極將UWB芯片植入手機、音響等各類智能家居,圍繞手機為中心,實現手機與智能家居之間的方向、距離與相對位置感知,實現更智慧的應用。 (轉載于小米UWB "一指連"方案) 藍牙AOA定位技術異軍突起 近年來,除了UWB技術,生態更為廣泛的藍牙AOA技術也進入人們視野,相比于UWB定位技術0.1 -0.3米的精度,藍牙AOA實現0.3-0.5米精度;相比于UWB在消費級產品的萌芽階段,只有少量手機植入了UWB,而所有的藍牙手機都擁有藍牙頻段,可以實現相比于傳統RSSI十倍以上的精度。 藍牙AOA在智能家居、智能商業、智慧城市等場景具有廣泛前景,相信會成為UWB的重要對比技術。典型企業包括北歐公司QUUPPA和中國企業藍色創源。 ~END~ 多點一個在看,小編雞腿加滿 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權后發布,版權歸原作者所有,本平臺僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平臺立場,如有問題,請聯系我們,謝謝!

    時間:2020-10-22 關鍵詞: 定位技術 芯片

  • 干貨!2020年5G芯片行業研究報告

    本文來源:前瞻產業研究院 2015年以來,我國積極出臺政策推進5G發展,迎來了5G的快速發展期,5G芯片技術獲得關注,2017年申請專利10個,2019年5G芯片專利申請數最多達到了33個。由于近兩年美國對我國5G芯片及企業發展的貿易制裁,國內企業也紛紛加大了對5G芯片研發的投入,本周前瞻《2020年5G芯片行業研究報告》,就帶大家一起了解下當前5G芯片行業發展現狀與未來形勢。 完整報告獲取方式:在本公眾號后臺回復關鍵字“2020芯片”,即可獲取完整報告下載鏈接 以下為報告部分內容 由于文章篇幅限制,可在本公眾號回復關鍵字“2020芯片”獲取完整報告下載鏈接。 ~END~ 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權后發布,版權歸原作者所有,本平臺僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平臺立場,如有問題,請聯系我們,謝謝!

    時間:2020-10-22 關鍵詞: 芯片 5G

  • 傳聯發科7nm芯片首次打入AMD,不是網卡也不是芯片組,那是啥?

    傳聯發科7nm芯片首次打入AMD,不是網卡也不是芯片組,那是啥?

    隨著華為被美國制裁芯片,聯發科的5G手機芯片今年備受歡迎,業績創造了5年來新高。除此之外,聯發科還在擴展新興市場,網絡報道稱他們的7nm芯片已經打入AMD供應鏈,主要用于高性能計算市場。 這個7nm芯片有點特別,不是常見品類,而是定制化的SerDes,2018年4月份聯發科宣布首發第一個通過7nm FinFET矽認證(Silicon-Proven)的56G PAM4 SerDes芯片。 SerDes是串行器(Serializer)和解串行器(De-Serializer)的合成詞。 它的主要功能是在發送端將多路低速并行信號串行信號,經過傳輸介質,最后在接收端,高速串行信號重新轉換成低速并行信號,非常適合端到端的長距離高速傳輸需求。 AMD今年底之前還會推出新一代的EPYC霄龍處理器,升級到7nm Zen3架構,依然最多64核128線程,但是性能會大幅提升,在數據中心市場上極具競爭力。 聯發科與AMD合作的傳聞已久,不過之前的爆料主要集中在消費級產品上,一個是聯發科取代祥碩為AMD提供新一代芯片組,另外一部分合作就是集中在網絡/通訊芯片上,AMD的PC產品會用上聯發科的5G基帶,同時雙方還會合作開發Wi-Fi網卡等。

    時間:2020-10-22 關鍵詞: 聯發科 AMD 芯片

  • 當電路板出現問題的時候,你知道如何排查嗎?

    當電路板出現問題的時候,你知道如何排查嗎?

    你知道如何快速排查電路板問題嗎?對于電路板而言,不是設計好就完美無缺了,而是要進行多次試驗,才能走向批量生產的過程。對于工程師而言,在出錯的情況去排查電路板的問題是最為棘手的。本文就和大家分享如何可以快速排查電路板問題所在? 以前運行很正常的電路今天忽然不正常了,接的電壓源一看電流都一點多A,猜測是電源短路,用電壓表測量發現確實是這樣。因此需要判斷電路哪里短路。 開始上電后有個芯片發熱非常的大,懷疑是該芯片的問題,拆下來后電路仍然短路,這時候盲目的檢查了半天,但一點效果都沒有,其實遇到這樣的問題后應該靜下心來,仔細考慮電源和地之間是如何連接的,然后再想該如何檢查。以我今天遇到的為例,后來我分析了一下電路,發現+5V分為了模擬+5和數字+5,它倆通過0歐電阻連在了一起,所以可以看看到底是哪部分電源和地短路。將0歐電阻拆掉后發現數字5v和地沒有短路,模擬5v短路了,因此范圍縮小很多。接著看地端,地也有數字地和模擬地,本來也想用同樣的方法的,但將0歐電阻拆掉后發現模擬地和數字地仍然是連著的,這是因為我板子上已經焊上了芯片,芯片內的模擬地和數字地是直接連著的。 因此只能挨個排除到底是哪兒出了問題,這時應該用割線的方法,我將我的模擬5v電源的線找到,先從中間割斷,判斷到底是前半部分短路還是后半部分短路。然后割斷了兩次之后就發現了問題,是我有個運放芯片燒毀了。換上新的運放后就好了。以后判斷短路,一定要理清思路!以上就是快速排查電路板問題的解析方法,希望能給大家幫助。

    時間:2020-10-21 關鍵詞: 電路板 發熱 芯片

  • 慧榮科技推出最新款PCIe 4.0 NVMe 1.4主控芯片,為消費級SSD帶來極致的性能體驗

    慧榮科技推出最新款PCIe 4.0 NVMe 1.4主控芯片,為消費級SSD帶來極致的性能體驗

    【2020/10/21,臺北及美國加州訊】全球NAND閃存主控芯片設計與營銷領導品牌——慧榮科技(NasdaqGS:SIMO)(“Silicon Motion”)當天宣布推出一系列最新款超高性能、低功耗的PCIe 4.0 NVMe 1.4主控芯片解決方案,以滿足全方位巿場需求,包括專為高端旗艦型Client SSD設計的SM2264、為主流SSD市場開發的SM2267,以及適用于入門級新型小尺寸應用的SM2267XT DRAM-Less主控芯片。 慧榮科技最新款SSD主控芯片解決方案符合PCIe 4.0 NVMe 1.4規范,完美展現Gen4的超高性能和低功耗特性,結合慧榮獨家的錯誤碼糾錯(ECC)技術、數據路徑和EMI保護,提供完整、穩定的數據保護,滿足存儲設備所需的高效穩定需求。全球已有10家重量級客戶,包括NAND大廠和SSD OEM采用慧榮科技的Gen 4主控芯片搭載3D TLC或QLC NAND推出新品。 市調公司TrendFocus副總裁Don Jeanette表示:“眾所皆知,慧榮科技長期以來一直是SSD主控芯片技術的領導者。在Gen 4規格日漸受到市場重視的同時,該公司于此時推出新品正好抓住最好的時機,而未來幾年Gen 4勢必成為PC、游戲機及其他消費級設備的標準規格?!? 慧榮科技總經理茍嘉章表示:“PCIe Gen4將SSD的性能往上推升到另一個層次。我們最新款的PCIe 4.0 SSD主控芯片為消費級SSD應用提供一套完整的解決方案,能滿足全球PC OEM和SSD模塊領導廠商的長遠需求。目前,多家OEM大廠客戶已開始導入我們最新款的Gen 4 SSD主控芯片在他們的新品開發中,其中已搭載SM2267主控芯片的SSD已進入量產階段?!? 針對高性能和車用等級的PCIe Gen 4解決方案:SM2264支持Gen4×4通道、8個NAND通道設計 SM2264主要瞄準高性能和車用級SSD應用,搭載四核心ARM® Cortex®-R8 CPU,內含四個16Gb/s PCIe數據總線,并支持八個NAND通道,每個通道最高可達每秒1,600 MT。SM2264的先進架構采用12nm制程,能夠大幅提升數據傳輸速率、降低功耗并提供更嚴密的數據保護,連續讀寫性能最高可達7,400MBs/6,800 MBs,隨機讀寫速度最高達1,000K IOPS,提供使用者前所未有的超高性能體驗。ARM® Cortex®-R8架構提供高速多線程處理能力,可滿足新一代存儲應用所需的混合工作負載作業需求。SM2264搭載慧榮科技最新第7代NANDXtend®技術,結合慧榮科技專利的最新高性能4KB LDPC糾錯碼(ECC)引擎和RAID功能,為最新一代的3D TLC和QLC NAND提供極佳的錯誤糾錯能力。內建SR-IOV功能的SM2264也是車用級存儲裝置的理想選擇,最多可同時為八臺虛擬機(VM)提供直接的高速PCIe接口。SM2264目前進入客戶送樣階段。 針對主流和入門級PCIe Gen 4的解決方案:SM2267支持Gen4×4通道、4個NAND通道設計;SM2267XT支持Gen4×4通道、4個NAND通道、DRAM-less 慧榮科技的SM2267和SM2267XT滿足主流消費級和高性價比SSD應用需求,具備四個16Gb/s通道的PCIe和四個NAND通道,每個通道的最高速度為1,200MT/s,而連續讀寫性能更可高達每秒3,900/3,500MB。SM2267包含DRAM接口,而SM2267XT DRAM-less主控芯片可在不影響性能的前提下,滿足小尺寸的產品設計需求。兩者均搭載NANDXtend® ECC技術,并支持最新一代3D TLC和QLC NAND,提供高性能、高可靠性,最符合經濟效益的PCIe NVMe SSD解決方案。SM2267和SM2267XT已進入量產階段。 更多SSD主控芯片解決方案相關信息,請登錄慧榮官網:www.siliconmotion.com。 關于慧榮 慧榮科技(Silicon Motion Technology Corp.,NasdaqGS:SIMO)是全球最大的NAND閃存主控芯片供貨商,同時也是SSD主控芯片的市場領導者。公司擁有最多的主控芯片解決方案及相關技術專利,主要使用于智能手機、個人計算機、消費性和工業級應用的SSD及eMMC+UFS等嵌入式存儲裝置。在過去十年,累績出貨量超過60億顆,居業界之冠。公司同時提供大型數據中心企業級SSD與工業級SSD解決方案??蛻舭ǘ鄶档腘AND閃存大廠、存儲裝置模塊廠及OEM領導廠商?;蹣s于2005年在美國NASDAQ上市。更多慧榮相關訊息,請造訪:www.siliconmotion.com。

    時間:2020-10-21 關鍵詞: 閃存 慧榮科技 芯片

  • 半導體元器件容易失效的原因,離不開這五大原因

    半導體元器件容易失效的原因,離不開這五大原因

    伴隨著對芯片的使用環境要求的越來越苛刻,在產品的生命周期中還面臨很大的挑戰,但是隨著制造尺寸變小以及采用新的封裝技術時,又會有新的影響產生,也就直接導致了器件性能研發的失敗。 隨著科學技術的發展,尤其是電子技術的更新換代,對電子設備所用的元器件的質量要求越來越高,半導體器件的廣泛使用,其壽命經過性能退化,最終導致失效。 有很大一部分的電子元器件在極端溫度和惡劣環境下工作,造成不能正常工作,也有很大一部分元器件在研發的時候就止步于實驗室和晶圓廠里。除去人為使用不當、浪涌和靜電擊穿等等都是導致半導體器件的壽命縮短的原因,除此之外,有些運行正常的器件也受到損害,出現元器件退化。 半導體元器件失效原因不可勝數,主要存在于幾個方面: 1.元器件的設計 先進特征尺寸節點上,芯片老化是個日益嚴重的問題,但到目前為止,大多數設計團隊都沒有必要處理它。隨著新的可靠性要求在汽車等市場的提出,這些需要對影響老化的因素進行全面分析,這將發生重大變化。 人們通常都知道半導體器件會隨著時間的推移逐漸老化,但對于老化機制或導致芯片失效的制約因素卻毫不知情。此外,根據應用的不同,對器件的最短壽命有確定的要求。 對于消費類設備可能是2或3年,對于電信設備可能長達10年。鑒于老化過程復雜且通常難以完全預測,如今許多芯片設計經常采取冗余設計的方法,以確保足夠的余量來滿足可靠壽命工作的要求。 “ 以運算放大器為例,它是很多東西的基礎。運算放大器必須正確偏置,并且必須在過驅動電壓中留有一些余量。然后你必須確保留下足夠的余量,這樣隨著時間的推移,運算放大器的老化將保持在晶體管的飽和區域內。晶體管的過驅動余量正在縮小,因為7nm的電源電壓為750mV,閾值約為350mV,因此幾乎沒有任何空間來保留較大余量。隨著老化,閾值電壓可以偏移多達50mV。如果運算放大器偏置電路偏移50mV,它可能會從飽和區域變為線性區域或三極管區,晶體管會變為電阻器而不再具有增益。運算放大器的功能是提供增益,那時電路變得毫無用處?!? 老化和可靠性是模擬設計師面臨的挑戰。今天的設計可能不會在明天運行,因為這些設計可能會發生降級,目前最重要的是必須確保滿足市場所有老化和可靠性的要求。 2.元器件的制造 半導體器件的制造涉及到測量僅幾納米的結構。作為參照,人類DNA鏈直徑為2.5nm,而人頭發直徑則為80,000至100,000nm。一粒塵??梢源輾ЬA片上的幾個裸片。 如果裸片的尺寸變大,隨機失效的可能性就會增加。對于成熟的工藝節點,產率可能在80%到90%之間。然而,對于較新的節點,產率可能大大低于50%,盡管實際數字是嚴格保密的。 “ 即使裸片沒有受到災難性的影響,也不能被認為是可操作的。制造步驟不完善,哪怕一個原子的工藝變化也會產生顯著的差異。雖然這可能不會對設計的某些部分產生影響,但如果工藝變化恰好與關鍵時序路徑吻合,則可能會使器件不符合規格?!? 隨著設計逐漸演變成采用先進封裝的深亞微米技術,現有的仿真工具和設計方法無法很好地反映變化及其對可靠性的影響。這會導致設計流程出現漏洞,從而導致一些失敗。設計流程越來越多地允許在開發早期就考慮到變化,以最大限度地減少其影響,而冗余等設計技術可以減少需要丟棄的“幾乎可以工作”的芯片的數量。 3.ESD保護 通常,芯片會包含ESD保護,如果給芯片外部施加0.5V電壓,那么在1nm的介質上產生0.5mV/m的電場。這足以導致高壓電弧。對于封裝內的單個裸片,他們的目標是2kJ這樣的標準。 “ 如果你試圖最小化ESD,甚至在這些Wide I/O接口或任何類型的多芯片接口通道上消除它,這意味著你無法按照你針對單芯片的相同標準對每個芯片進行真正的測試。它們必須經過更專業的測試,因為它們的ESD保護很小,或者可能沒有ESD保護?!? 即使在運行期間,ESD事件也可能導致問題。在便攜式電子產品中,ESD可以導致許多類型的軟錯誤。在ESD事件期間,電源供電網絡(PDN)上可能會引起噪聲,原因在于某些IC(振蕩器IC、CPU和其他IC)的靈敏度,或是PDN的場耦合。 4.磁場對半導體影響 隨著智能手機、平板電腦終端的多功能化,其所需要的電源電壓也涉及多種規格,因此電源電路用電感器的使用數量呈現增加趨勢。電源電路用一體成型電感的要求小尺寸且支持大電流,并且在智能手機等一些使用電池的設備中要求損耗低。 “ 電感在磁場中儲存能量來發揮其功能。但是,電感除受自身產生的電磁能量影響外,也受外部磁通量影響。保證元器件的電感值指的是無外部磁通量狀態下的值。因此,在存在外部磁通量的情況下封裝電感時,將可能無法發揮其應有的功效?!? 因此,EMS是人們不得不擔心的新問題。能量注入測試是從150kHz開始注入1W能量,一直到1GHz。在每個頻率,你會向系統注入1W的能量。如果你沒有足夠的保護,就會沿著路徑進入芯片內部電路造成破壞,或者引腳上的電壓可能過高,如果電壓太高,就會產生過電應變。 5.開關電源 現在電源行業已從前三四年的市場低迷中走了出來,但開關電源市場競爭日趨激烈,我國電源企業僅僅依靠低成本制造在世界市場上已無優勢可言,與此同時,國外功率半導體供應商在電源行業的地位進一步加強。 雖然市場發展形勢被看好,但是在過去十多年,中國開關電源企業依靠低成本優勢,生產那些符合全球知名OEM企業質量和性能參數要求的產品,為取得成功,中國電源企業在眾多環節上做投資,越來越多的半導體生產商都采用嵌入式電源來降低產品成本,也使得功率越來越高。 “ 功率越高也隨之造成了電子元器件的發熱,而發熱帶來的問題不僅僅是手機在口袋里變熱。它會導致晶體管和它們之間的連接退化,這也直接影響半導體元器件的性能和可靠性?!?

    時間:2020-10-21 關鍵詞: esd 半導體元器件 芯片

  • 國家發展改革委:努力維護芯片產業發展秩序 提高產業集中度

    國家發展改革委:努力維護芯片產業發展秩序 提高產業集中度

    2019年,我國集成電路銷售收入7562億元,同比增長15.8%。國內投資集成電路產業的熱情不斷高漲,但低水平重復建設風險顯現。 近期,關于芯片項目爛尾的報道引發社會關注,對此,國家發展改革委表示,國內投資集成電路產業的熱情不斷高漲,低水平重復建設風險顯現,未來將強化頂層設計,狠抓產業規劃布局,努力維護產業發展秩序。 國家發展改革委表示,針對當前行業出現的問題,未來將強化頂層設計,狠抓產業規劃布局,努力維護產業發展秩序。 國家發展改革委新聞發言人 孟瑋:提高產業集中度,引導地方加強對重大項目建設的風險認識,對造成重大損失或引發重大風險的,予以通報問責。 國家發展改革委新聞發言人 孟瑋:一些沒經驗、沒技術、沒人才的“三無”企業投身集成電路行業,個別地方對集成電路發展的規律認識不夠,盲目上項目,低水平重復建設風險顯現,甚至有個別項目建設停滯、廠房空置,造成資源浪費。

    時間:2020-10-21 關鍵詞: 國家發展改革委 芯片

  • 強悍!華為麒麟9000曝光!

    按照之前華為為新機申請入網許可證的信息看,“NOH-NX9”應該就是即將發布Mate 40中的一員,而它也會首發麒麟9000處理器。 現在,“NOH-NX9”已經現身Geekbench 5 OpenCL,其搭載的麒麟9000處理器的部分信息也顯露出來(分數為6430分),比如搭載的CPU是海思芯片,有八個核心。 至于這款CPU的芯片,是滿血的24核Mali-G78。 按照之前ARM的說法,綜合架構、工藝等各方面的改進,Mali-G78相比于Mali-G77的性能提升幅度可達25%,即便是在同等工藝條件下也可提升15%, 同時能效提升10%,機器學習性能提升15%。 另外,Mali-G78徹底重寫了FMA(融合乘加)引擎,包括新的乘法架構、新的加法架構、FP32/FP16浮點,可以節省30%的功耗,同時改為新的兩級結構,實現了上層共享GPU模塊與實際著色器核心頻率的分離,也就是異步時鐘域。 -END- 來源 | 快科技 |?整理文章為傳播相關技術,版權歸原作者所有?| |?如有侵權,請聯系刪除?| 【1】后摩爾定律時代的新救星?芯原戴偉民詳解Chiplet新技術 【2】敢坐嗎?無人駕駛出租車驚現北京街頭! 【3】摩爾定律引發的技術革命下,中國半導體產業的機會 【4】從荷蘭進口DUV光刻機需要許可證嗎?ASML如是解釋 【5】最新消息!日本TDK已申請恢復對華為供貨 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權后發布,版權歸原作者所有,本平臺僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平臺立場,如有問題,請聯系我們,謝謝!

    時間:2020-10-21 關鍵詞: 華為 CPU 芯片

  • 后摩爾定律時代的新救星?芯原戴偉民詳解Chiplet新技術

    出品?21ic中國電子網?王麗英 網站:21ic.com 在摩爾定律的指引下,芯片上集成的晶體管數量不斷超越人們的想象,芯片性能也不斷升級,同時成本逐年下降。 但隨著半導體制造工藝的不斷升級,從7nm、5nm到3nm等延伸下去,越來越接近物理極限,而工藝提升所帶來的成本效益也越來越不明顯,僅靠工藝節點提升已無法滿足市場需求。如何讓芯片繼續提升算力同時降低成本?業界需要在其他途徑上再想對策。 Chiplet芯粒技術就是一個新的探索。 日前,在IC CHINA 2020的開幕式上,芯原股份創始人、董事長兼總裁戴偉民詳細解讀了Chiplet芯粒這一新技術,剖析了Chiplet時下的新機遇。 Chiplet最早由Marvell創始人周秀文提出,在ISSCC2015上,周秀文率先提出MoChi(Modular Chip,模塊化芯片)架構的概念。據戴偉民介紹,MoChi是許多應用的基準架構,包括物聯網、智能電視、智能手機、服務器、筆記本電腦、存儲設備等。 戴偉民認為,先進工藝中只有22nm、12nm和5nm這三個工藝節點是“長命節點”,其他中間節點的“壽命”都比較短。而且,并非每種芯片都需要5nm這樣的尖端工藝,因為不是每一家公司都能負擔起5nm工藝的成本,于是Chiplet這種將不同工藝節點的die混封的新形態是未來芯片的重要趨勢之一。 據戴偉民介紹,目前將Chiplet運用做得最好的是AMD。在一塊芯片上,CPU用的是7nm工藝,I/0則使用的是14nm工藝,與完全由7nm打造的芯片相比成本大約降低了50%。 “AMD是最會做大芯片的公司,連它都能接受小芯片,這很好的證明了Chiplet的發展前景?!贝鱾ッ癖硎?。 戴偉民在演講中還特別強調,封裝和接口對于Chiplet的重要性。臺積電的CoWoS技術和英特爾的Foveros 3D立體封裝技術都為Chiplet的發展奠定了基礎,接口則代表了標準問題,芯片拼接在一起需要有一致的互聯協議。所以,戴偉民表示,何時切入Chiplet領域很關鍵,如果過早切入,則沒有標準可以依靠,設計好的成品可能會面臨日后的接口不匹配等問題。 不過,整體來看,Chiplet給半導體全產業鏈都帶來了新的機會。戴偉民指出,芯片設計環節能夠降低大規模芯片設計的門檻;半導體IP授權商能升級為Chiplet供應商,提升IP的價值且有效降低芯片客戶的設計成本;芯片制造與封裝環節能夠增設多芯片模塊(Multi-Chip Module,MCM)業務,Chiplet迭代周期遠低于ASIC,可提升晶圓廠和封裝廠的產線利用率;標準與生態環節,則能夠建立起新的可互操作的組件、互連、協議和軟件生態系統。例如,作為IP供應商的芯原提出了IP as a Chip(IaaC)的理念,旨在以Chiplet實現特殊功能IP從軟到硬的“即插即用” ,解決7nm、5nm及以下工藝中性能與成本的平衡,并降低較大規模芯片的設計時間和風險。 據Omdia報告,2018年Chiplet市場規模為6.45億美元,預計到2024年會達到58億美元,2035年則超過570億美元,Chiplet的全球市場規模正在井噴式增長。 -End- 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權后發布,版權歸原作者所有,本平臺僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平臺立場,如有問題,請聯系我們,謝謝!

    時間:2020-10-21 關鍵詞: 半導體 芯片

  • 首片國產6英寸碳化硅晶圓產品發布!在上海

    2020年10月17日東方衛視的報道,首片國產 6 英寸碳化硅 MOSFET(金屬氧化物場效應晶體管)晶圓于 10 月 16 日在上海正式發布。 國產 6 英寸碳化硅 MOSFET 晶圓,基于碳化硅(第三代半導體材料)制成,用于新能源車、光伏發電等新能源產業。 上海瞻芯電子創始人兼總經理張永熙表示:“如果用了碳化硅 MOSFET(金屬氧化物場效應晶體管)新能源汽車作電驅動的話,續航里程可以有 5% 到 10% 的提升;比如說用了碳化硅工藝器件的光伏逆變器的話,效率也可以非常大的提升尤其在能耗上面降低 50% ?!? 上海瞻芯電子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導體領域的高科技芯片公司,2017年成立于上海自貿區臨港新片區。官方表示,經過三年的深度研發和極力攻關,瞻芯電子成為中國第一家掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工藝,以及SiC MOSFET驅動芯片的公司。 -END- 來源 | IT之家 |?整理文章為傳播相關技術,版權歸原作者所有?| |?如有侵權,請聯系刪除?| 【1】后摩爾定律時代的新救星?芯原戴偉民詳解Chiplet新技術 【2】敢坐嗎?無人駕駛出租車驚現北京街頭! 【3】摩爾定律引發的技術革命下,中國半導體產業的機會 【4】從荷蘭進口DUV光刻機需要許可證嗎?ASML如是解釋 【5】最新消息!日本TDK已申請恢復對華為供貨 免責聲明:本文內容由21ic獲得授權后發布,版權歸原作者所有,本平臺僅提供信息存儲服務。文章僅代表作者個人觀點,不代表本平臺立場,如有問題,請聯系我們,謝謝!

    時間:2020-10-21 關鍵詞: 半導體 芯片

  • Deca 與 ADTEC Engineering 攜手,提升用于2μm Chiplet(小芯片)縮放的 Adaptive Patterning?技術

    Deca 與 ADTEC Engineering 攜手,提升用于2μm Chiplet(小芯片)縮放的 Adaptive Patterning?技術

    亞利桑那州坦佩– 2020年10月21日 – 業界領先的先進電子互聯技術提供商 Deca 今日宣布,已與 ADTEC Engineering 簽訂協議,以加入其最新的AP Live網絡。本次合作將有利于 ADTEC 將 AP Connect 模塊嵌入其最新的2μm激光直接成像(LDI)系統中,在本機上實時處理獨特的Adaptive Patterning?(AP)設計。 ADTEC 將加入 Deca 的 AP Live 網絡,這是一個持續壯大的供應鏈生態系統,包括原始設備制造商(OEM)和電子設計自動化(EDA)供應商。Deca 的 AP Connect 軟件模塊能夠將實時 AP 設計數據的本機支持嵌入到制造設備中。AP Studio 模塊能夠將隨附的自定義設計流程與領先的 EDA 系統進行集成,供布局和驗證用途。 圖:下一代Adaptive Patterning?,AP Live提供無與倫比的性能、設計能力,易于實施及設備集成。 Deca 創始人兼首席執行官 Tim Olson 表示:“AP Live 網絡為先進封裝工藝的支柱產業提供了一項全面覆蓋的新功能 ,便于諸如 ADTEC 等 OEM 與 Deca 展開協作,將 AP Connect 功能直接集成到他們已被認可的高產量設備中。Deca 很榮幸能夠與高密度 LDI 行業的領頭羊 ADTEC 攜手,為先進封裝產業引入強大的新型2μm AP 技術節點,強化chiplet(小芯片)集成工藝?!? ADTEC 計劃在2021年春季,針對先進封裝工藝推出最先進的2μm LDI 系統“DE-2”,其中包括扇出技術中所應用的工藝。通過與 Adaptive Patterning?的本機集成功能,DE-2 將為需要精細圖案工藝以交付最高良率的客戶,提供額外的必要價值。 ADTEC 總裁 Keizo Tokuhiro 表示:“我非常高興地看到 ADTEC 將與 Deca 合作。我熱切地憧憬著兩家公司的合作將加速這一行業的技術發展,并開拓輝煌的前景?!?

    時間:2020-10-21 關鍵詞: deca adtec 芯片

  • 美光量產全球首款基于 LPDDR5 DRAM 的多芯片封裝產品

    美光量產全球首款基于 LPDDR5 DRAM 的多芯片封裝產品

    2020 年 10 月 21 日,中國上海 —— 內存和存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc.今日宣布量產業界首款基于低功耗 DDR5(LPDDR5)DRAM 的通用閃存存儲(UFS)多芯片封裝產品 uMCP5。美光 uMCP5 將高性能、高密度及低功耗的內存和存儲集成在一個緊湊的封裝中,使智能手機能夠應對數據密集型 5G 工作負載,顯著提升速度和功效。該款多芯片封裝產品搭載美光 LPDDR5 內存、高可靠性 NAND 以及領先的 UFS3.1 控制器,實現了此前只在使用獨立內存和存儲芯片的昂貴旗艦手機上才有的高級功能。uMCP5 的出現使諸如圖像識別、高級人工智能(AI)、多攝像頭支持、增強現實(AR)和高分辨率顯示等最新技術能在中高端手機上予以普及,從而惠及更多的消費者。 美光高級副總裁兼移動產品事業部總經理 Raj Talluri 表示:“要將 5G 的潛力從宣傳層面變為現實,需要智能手機能夠應對通過網絡和下一代應用程序傳輸的海量數據。我們的 uMCP5 在單個封裝中結合了最快的內存和存儲,為顛覆性的 5G 技術帶來了更多可能,幫助消費者從容應對數據挑戰?!? 美光 uMCP5 為 5G 生態系統帶來出類拔萃的速度和效率 本次發布是美光于今年三月宣布 uMCP5 出樣的延續,為移動市場設定了新標準,成為首款使用最新一代 UFS NAND 存儲和低功耗 DRAM 的多芯片封裝產品。如今的智能手機需要存儲和處理海量數據,這使基于 LPDDR4 的中端芯片組的內存帶寬變得捉襟見肘,帶來的后果是視頻分辨率降低、出現影響體驗的延遲,以及部分功能受限。 借助 LPDDR5,美光將內存帶寬從 3,733 Mb/秒大幅提高至 6,400 Mb/秒,即使在處理大數據量時,也可為移動用戶提供無縫、即時的體驗。 高通公司(Qualcomm)產品管理副總裁 Ziad Asghar 表示:“5G 為智能手機提供了前所未有的速度與云連接。我們很高興看到 uMCP5 面世,為新一代手機帶來符合 5G 速度的內存,并保證了一流的游戲體驗、差異化的攝像頭、AI 功能,以及更快的文件傳輸?!? uMCP5 專為下一代 5G 設備而設計,能輕松快速地處理和存儲大量數據,且無需在性能和功耗之間進行妥協。高性能的內存和存儲使 uMCP5 能夠充分支持 5G 下載速度,并同時運行更多應用程序。 美光 uMCP5 的主要特性包括: · 續航時間大幅延長:在 uMCP4 的成功基礎上,美光將 LPDDR5 內存用于 uMCP5,實現了 5G 網絡的完全利用;與 LPDDR4 相比,功耗降低了近 20%。此外,美光的 UFS 3.1 功耗比其前代產品 UFS 2.1 減少 40%。對于智能手機用戶而言,即使在使用耗電的多媒體應用程序或數據密集型功能(如 AI、AR、圖像識別、游戲、沉浸式娛樂等)時,也能有更長的續航時間。 · 下載速度快:與美光此前基于 UFS 2.1 的解決方案相比,美光 uMCP5 釋放了 5G 性能的全部潛力,持續下載速度可以加快 20%。 · 耐用度提升:美光 uMCP5 NAND 的耐用度提升了約 66%,可以允許 5,000 次擦寫,成倍增加了設備的可擦寫次數和數據量,而不會降低設備性能。即使對于重度手機用戶而言,也能有效延長智能手機的使用壽命。 · 業界領先的帶寬:采用 uMCP5 的設備最高將支持 6,400 Mb/s 的 DRAM 帶寬,與上一代 LPDDR4x 的 4,266 Mb/s 帶寬相比,增加了 50%。這使移動用戶可以同時運行多個應用程序而不會影響體驗。增加的帶寬也使智能手機中的 AI 計算攝影獲得了更高質量的圖像處理,為用戶帶來專業的攝影能力。美光是業界首家支持全速 LPDDR5 的供應商。 最新閃存性能:美光 uMCP5 還采用了最快的 UFS 3.1 存儲接口,與其上一代 UFS 2.1 產品相比,順序讀取性能提高了一倍,寫入速度加快了 20%。 節省空間的緊湊設計:美光利用其多芯片封裝專業知識以及所掌握的制造和封裝技術,以最緊湊的尺寸設計 uMCP5,從而實現了更纖薄、更靈活的智能手機設計。與獨立版本的 LPDDR5 和 UFS 解決方案相比,美光 uMCP5 多芯片封裝可節約 55% 的印刷電路板空間。節省的空間使手機制造商能夠最大限度地提升電池容量或增加其他功能,例如攝像頭、手勢元件或傳感器。美光可提供高達 12 GB LPDDR5 和 512 GB NAND 的多個容量配置選擇。 美光 uMCP5 的供應情況 uMCP5 現在已經可以批量生產,有四種不同的密度配置:128+8 GB,128+12 GB,256+8 GB 和 256+12 GB。

    時間:2020-10-21 關鍵詞: 美光 umcp5 芯片

  • 集成電路產業熱情不斷高漲!確爛尾不斷

    集成電路產業熱情不斷高漲!確爛尾不斷

    國內投資集成電路產業熱情不斷高漲,一些沒經驗沒技術沒人才的三無企業也加入其中,個別地方盲目上項目,低水平重復建設風險顯現。 發改委將從四方面維護產業發展秩序:一是加強規劃布局規范發展秩序; 二是完善政策體系優化發展環境; 三是建立防范機制,早梳理早發現早反饋早處置。 四是引導地方加強風險意識,對造成重大損失和風險的予以問責。

    時間:2020-10-21 關鍵詞: 發改委 爛尾 芯片

  • 造芯圈錢圈政績成“好項目” 有無捷徑可走?

    造芯圈錢圈政績成“好項目” 有無捷徑可走?

    眾所周知,芯片是一項需要坐得住“冷板凳”的事業。橫亙前方的,是短期內難以追趕的技術鴻溝。國產芯片在起跑線上并無先天優勢,更沒有什么后發制人的捷徑可走。 近期,芯片項目爛尾報道引發關注。10月20日,國家發改委新聞發言人孟瑋回應說,“國內投資集成電路產業的熱情不斷高漲,一些沒經驗、沒技術、沒人才的‘三無’企業投身集成電路行業,個別地方對集成電路發展的規律認識不夠,盲目上項目,低水平重復建設風險顯現,甚至有個別項目建設停滯、廠房空置,造成資源浪費”。 芯片斷供,燃眉之急。伴隨中國兩大通信設備廠商中興、華為接連遭遇美國禁運,中國在芯片方面的短板,政府、市場、創業者都意識到了,與此同時,芯片又一再出現在各種頂層設計文件中,成為新一輪產業建設的熱門選項,蔓延全國的造芯熱情并不難理解。 只不過,熱情實在造不出芯片,PPT 更不能。芯片是典型的技術含量高、資金密集型產業,投資大、周期長。芯片項目考驗的是過硬的技術、投資及后續源源不斷的融資能力。而對于相當一部分地方政府來說,技術和資金的硬指標都是大考。有媒體在報道這些芯片爛尾項目時,就直言不諱一些財政能力稍弱的地方政府,低估了芯片制造項目的資本投入密度,同時高估了當地的資源和社會化融資能力。 沒有金剛鉆,攬不得瓷器活。實力問題,說白了是幾斤幾兩的自知問題。出了問題的造芯工程,最怕明知自身實力不足鴻溝難以跨越,仍然對造芯項目“喜聞樂見”,將此視為圈錢圈政績的“好項目”。 真正的造芯,應該真心誠意。這份誠意至少要有一個綜合業務能力過硬的統籌者,地方政府若要充當這個統籌者,就要把上至頂層設計、下至基礎工程一一執行落地。復雜的造芯工程不僅包括產業園區規劃、土地環評,還涉及研究機構人才輸送與培養,市場環境孵化、產業鏈建構躍遷、資金鏈完整安全等系統性工作。 造芯,是一項金貴的事業。它的金貴,在于盲目自大不行,妄自菲薄更不行;按兵不動不行,急于求成更不行。既要撬動市場的杠桿,又不能完全依著市場的性子來。既要有政府的力量,又要與政府厘清邊界。 在大多數高科技領域,中國作為一個后發追趕國家,所謂“自主創新”都極為艱難。因此,大多情況下,許多領域都遵循著一條引進、消化、再創新的技術路線。而關鍵點則在于“如何獲得技術”,在于如何再創新。

    時間:2020-10-21 關鍵詞: 快錢 芯片

  • 芯片越重要 越要避免出現“過熱”現象助長行業虛火

    芯片越重要 越要避免出現“過熱”現象助長行業虛火

    芯片是高投入的“高端”產業,近年來整個行業也明顯有升溫之勢。這一方面可以滿足城市產業升級的需要,另一方面也契合了一些地方對于大項目的偏好。芯片產業的重要性越是提級,越要避免出現“過熱”現象助長行業虛火。 10月20日,在國家發改委的新聞發布會上,針對“芯片項目爛尾”亂象,發改委新聞發言人孟瑋表示,對造成重大損失或引發重大風險的,予以通報問責。 孟瑋提到,國內投資集成電路產業的熱情不斷高漲,一些沒經驗、沒技術、沒人才的“三無”企業投身集成電路行業,個別地方對集成電路發展的規律認識不夠,盲目上項目,低水平重復建設風險顯現,甚至有個別項目建設停滯、廠房空置,造成資源浪費。 發改委新聞發言人的這番回應,無疑頗具針對性。就在上個月,媒體還報道,投資高達1280億元,作為某地明星項目上馬的某半導體項目傳出停工甚至可能爛尾的消息。 這并非孤例,近幾年由于芯片行業迎來發展風口,國內不少城市都紛紛進軍芯片產業。這固然與城市對新產業賽道的競爭有關,但由于項目把關不嚴、重復建設等原因,芯片項目爛尾現象也時有出現。 對于一些地方的芯片項目爛尾現象乃至整個行業所出現的浮躁跡象,國家發改委要求各地加強規劃布局、完善政策體系、建立防范機制、壓實各方責任,這是一種適時而必要的“敲打”,也可以說是意在給局部地區非理性的芯片項目投資熱降降溫,讓芯片行業發展真正回歸理性。 在芯片產業重要性提升的今天,越來越多的地方重視芯片項目投資,這未嘗不是好事。但要警惕的是,不顧實際情況的盲目上項目,人為放大行業泡沫和風險。 這些內外因的綜合作用,讓一些地方忽視了芯片產業不僅投入大,而且有著較高的技術、人才門檻等諸多要求,而是在缺乏應有的行業分析和風險把關的情況下,就不惜“大干快上”,最終為爛尾埋下隱患。 本質上,芯片產業長遠發展,對技術、配套產業生態、人才等提出了高要求??裳巯?,不少地方招攬芯片項目的手段,還是停留在土地、政策、補貼的“三板斧”層面,這與芯片產業發展的內在規律本就構成沖突。由此看,部分項目的爛尾風險,其實從一開始就已注定。 這次發改委發言人指出,要加強規劃布局、完善政策體系,其實就是要求對芯片產業的發展規律和行業生態有更多科學理性的認知,在做好規劃的基礎上,引導芯片產業健康發展,而不是“頭腦發熱”一窩蜂式上馬。建立防范機制、壓實各方責任,就相當于要為相關項目的發展套上責任“緊箍咒”。 需要明確的是,任何項目投資都有風險,落實“誰支持、誰負責”原則,主要指的對人為原因帶來的風險要強化責任追究。像對項目資質缺乏科學評估,在立項過程中無視程序,違規開“綠燈”等,都應該納入問責范疇。且越是大項目,越要有人負責。 說到底,芯片產業的重要性越是提級,越要避免出現“過熱”現象助長行業虛火。這方面,光伏等產業是有前車之鑒的。重視芯片技術攻關與抑制行業浮躁、降低項目風險并行不悖,唯有腳踏實地,剔除泡沫,國內芯片產業才能真正迎來健康發展。 當然,不僅是在發展芯片項目上要落實責任,其他招商引資項目都應該建立風險防范機制,并真正壓實責任,避免因個人好大喜功和追逐政績等原因而缺乏對招商引資風險的應有把關。

    時間:2020-10-21 關鍵詞: 半導體 光伏 芯片

  • 火力全開?。?!華為麒麟9000芯片采用24核架構

    火力全開?。?!華為麒麟9000芯片采用24核架構

    今年早些時候,英國半導體知識產權(IP)提供商ARM發布了全新的旗艦級Mali-G78 GPU架構,該架構首次支持到24個核心,相比上一代Mali-G77的16個增加了一半。 日前,一款型號為“NOH-NX9”的華為手機的GeekBench跑分曝光。結合相關爆料,這款機型大概率是即將發布的華為Mate 40系列,其搭載的芯片應該就是備受關注的麒麟9000。從這份跑分信息來看,麒麟9000或采用ARM最新的Mali-G78 GPU架構,且支持24個核心,做到了該架構的上限,可謂火力全開。 根據現有爆料,麒麟9000的GeekBench OpenCL跑分為6430分,單核跑分為1019分,多核跑分為3703分,性能較上一代有所提升;CPU采用1*3.13 GHz A77+3*2.54G Hz A77+4*2.04 GHz A55架構,為8個核心;GPU采用Mali-G78架構,有24個核心。 據悉,Mali-G78在架構、工藝等各方面都有顯著改進,相比于Mali-G77的性能提升幅度可達25%,即便是在同等工藝條件下也可提升15%。麒麟9000將由華為Mate40系列首發,該系列手機將于10月22日正式發布。

    時間:2020-10-20 關鍵詞: 華為 麒麟 芯片

  • 三星“展望2030”計劃:爭取成績全球業界第一

    三星“展望2030”計劃:爭取成績全球業界第一

    目前,三星已經正式發布的“展望2030”的計劃正在逐步推進當中,這一計劃的目標是在2030年以前,在除了存儲以外的半導體市場中取得全球業界第一的成績,這些都在一定程度上證明三星在芯片市場具備強大的競爭實力。 通過在手機高端芯片上的持續布局,三星將推動并實現全球手機芯片供應格局的多元化和產品設計的差異化。 近日,三星電子系統LSI事業部宣布,三星下半年將會發布擁有旗艦級性能的Exynos 1080芯片。這款采用5納米制程工藝的旗艦級處理器有望成為首批商用產品。在安兔兔公布的疑似Exynos 1080芯片跑分數據中,也以69萬多分的成績成為目前全球跑分最高的處理器平臺之一。 IHS分析師李澤剛認為:“三星Exynos 1080處理器是全球首批5nm工藝制程的5G手機芯片之一,搭載了最新的Cortex-A78的CPU和Mali-78的GPU,其性能更強,功耗更低。早在2000年三星電子在進入移動芯片市場之后,便通過對雙核、四核、八核等芯片技術的發展引導,以實現高性能、低能耗為目標,不斷開發新的制程工藝。Exynos通過多核構造提升性能的同時降低能耗,并且支持多種通信模式,實現旗艦級智能設備的性能保障。 在5G商用領域上,三星也在持續發力。2018年8月就推出了業內首款5G雙模芯片Exynos Modem5100;2019年,三星與vivo聯合研發了業內首款雙模5G AI芯片Exynos 980,為更多消費者帶來更豐富的5G體驗,加速了5G行業的發展普及和產業化進程。

    時間:2020-10-20 關鍵詞: 三星 芯片

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